ოთხკვადრანტი Si PIN
მახასიათებლები
- დაბალი მუქი დენი
- მაღალი გამოხმაურება
- კარგი კვადრატის თანმიმდევრულობა
- მცირე ბრმა ტერიტორია
აპლიკაციები
- ლაზერული ხელმძღვანელობა, დამიზნება და თვალთვალი
- საძიებო მოწყობილობისთვის
- ლაზერული მიკრო პოზიციონირება, გადაადგილების მონიტორინგი და ზუსტი გაზომვის სისტემები
ფოტოელექტრული პარამეტრი (@Ta=25℃)
| ელემენტი # |
პაკეტის კატეგორია | დიამეტრი ფოტომგრძნობიარე ზედაპირი (მმ) | სპექტრული რეაგირების დიაპაზონი (ნმ) | პიკური პასუხის ტალღის სიგრძე | პასუხისმგებლობა λ=1064 ნმ (კვ/ვ)
| ბნელი დენი (nA)
| მზარდი დრო λ=1064 ნმ RL=50Ω(ნ)
| შეერთების ტევადობა f=1MHz (pF) | ავარიული ძაბვა (V)
|
| GT111 | TO-8 | Ф4 |
400-1100 |
980 | 0.3 | 5 (VR= 40 ვ) | 15 (VR= 40 ვ) | 5 (VR= 10 ვ) | 100 |
| GT112 | Ф6 | 7 (VR= 40 ვ) | 20 (VR= 40 ვ) | 7 (VR= 10 ვ) | |||||
| GD3250Y | Ф8 | 10 (VR= 40 ვ) | 25 (VR= 40 ვ) | 10 (VR= 10 ვ) | |||||
| GD3249Y | TO-20 | Ф10 | 15 (VR= 40 ვ) | 30 (VR= 40 ვ) | 15 (VR= 10 ვ) | ||||
| GD3244Y | TO-31-7 | Ф10 | 0.4 | 20 (VR= 135 ვ) | 20 (VR= 135 ვ) | 10 (VR= 135 ვ) | 300 | ||
| GD3245Y | Ф16 | 50 (VR= 135 ვ) | 30 (VR= 135 ვ) | 20 (VR= 135 ვ) | |||||
| GD32413Y | MBCY026-P6 | Ф14 | 40 (VR= 135 ვ) | 25 (VR= 135 ვ) | 16 (VR= 135 ვ) | ||||
| GD32414Y | TO-8 | Ф5.3 | 400-1150 | 0.5 | 4.8 (VR= 140 ვ) | 15 (VR= 140 ვ) | 4.2 (VR= 140 ვ) | ≥300 | |
| GD32415Y | MBCY026-W7W | Ф11.3 | ≤20 (VR= 180 ვ) | 20 (VR= 180 ვ) | 10 (VR= 180 ვ) |
