850 ნმ Si PIN მოდულები
მახასიათებლები
- მაღალსიჩქარიანი რეაგირება
- მაღალი მგრძნობელობა
აპლიკაციები
- ლაზერული დაუკრავენ
ფოტოელექტრული პარამეტრი (@Ta=22±3℃)
| ელემენტი # | პაკეტის კატეგორია | ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის დიამეტრი (მმ) | პასუხისმგებლობა | მზარდი დრო (ნ) | დინამიური დიაპაზონი (dB)
| ოპერაციული ძაბვა (V)
| ხმაურის ძაბვა (მვ)
| შენიშვნები |
| λ=850ნმ，φe=1μW | λ=850ნმ | |||||||
| GD4213Y | TO-8 | 2 | 110 | 12 | 20 | ±5±0.3 | 12 | - |
| GD4251Y | 2 | 130 | 12 | 20 | ±6±0.3 | 40 | (დაცემის კუთხე: 0°, გამტარობა 830 ნმ ~ 910 ნმ ≥ 90% | |
| GD4251Y-A | 10×1.5 | 130 | 18 | 20 | ±6±0.3 | 40 | ||
| GD42121Y | 10×0.95 | 110 | 20 | 20 | ±5±0.1 | 25 | ||
| შენიშვნები: GD4213Y-ის ტესტის დატვირთვა არის 50Ω, დანარჩენი დანარჩენები არის 1MΩ | ||||||||
