ბოჭკოვანი გამომავალი 780 ნმ ერთი სიხშირის ლაზერი
Პროდუქტის მახასიათებლები
█ვიწრო ხაზის სიგანე <20 kHz (დაბალი 2 kHz)
█სურვილისამებრ დაბალი ინტენსივობის ხმაური (RIN <-130 dBc/Hz @ 100 kHz)
█მაღალი სიმძლავრე (2 W)
█სხივის შესანიშნავი ხარისხი (M² <1.1)
█დენის სტაბილურობა (PP<1% @25℃, <2% @15-35℃)
█გარემოს სტაბილურობა (15-35℃, 0.5 გრმ (0-200 ჰც))
█Rb ატომი
ტექნიკური მაჩვენებლები
მოდელი | EFA-SSHG-780-X (ერთჯერადი) | EFA-SSHG-780-XX (ორი არხი) | |||
ცენტრალური ტალღის სიგრძე¹ | 780,24 ნმ | ||||
Ძალა | 2W | 0.2 W | 2W | 400 მვტ | |
2W | 400 მვტ | ||||
სიხშირის განსხვავება ორ არხს შორის |
| 0-1,2 გჰც (ერთმარცვლიანი ლაზერი) | |||
ლაზერული ხაზის სიგანე | < 20 kHz | < 2kHz (სურვილისამებრ) | |||
რეჟიმი-ჰოპის უფასო ტუნინგის დიაპაზონი² | 0.4 ნმ | ||||
სწრაფი დაყენების დიაპაზონი² | 10 გჰც | ||||
სწრაფი გამტარუნარიანობა² | > 10 kHz | ||||
სიხშირის სტაბილურობა² | 100 MHz @25℃ | ||||
RMS სიმძლავრის სტაბილურობა, % | <0.3% RMS @25℃ @3სთ | ||||
ოპერაციული გარემო | ტემპერატურა: 0-50℃ ვიბრაცია: 0,5 გრმ (0-200 ჰც) | ||||
შედარებითი ინტენსივობის ხმაურის RMS ინტეგრაცია (10Hz-10 MHz) | <0.2% | დაბალი ხმაურის ვარიანტი³ RMS ინტეგრაციის მნიშვნელობა: <0.05% (10Hz-10 MHz) | |||
გამომავალი ბოჭკოვანი | PM780 ბოჭკოვანი, კოლიმატური გამომავალი ან FC/APC გამომავალი | ||||
პოლარიზაცია | წრფივი პოლარიზაცია, > 100: 1 | ||||
გაგრილება | ჰაერის გაგრილება/წყლის გაგრილება | ||||
დენის გაფანტვა | <200 W | ||||
1 შესაძლებელია კოსტუმირებული; მორგებული დიაპაზონი 765-790 ნმ 2 თესლის ლაზერიდან გამომდინარე, თესლის ლაზერი შეიძლება იყოს გარე 3 დაბალი ხმაურის თესლი შეიძლება შეირჩეს დაბალი ხმაურისთვის |