905nmAPD ერთი მილის სერიის გამორჩეული სურათი

905nmAPD ერთი მილის სერია

მოდელი: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2- GD5210Y-2-5-P

Მოკლე აღწერა:

მოწყობილობა არის სილიკონის ზვავის ფოტოდიოდი, სპექტრული რეაქცია მერყეობს ხილული შუქიდან ახლო ინფრაწითელამდე და პიკური პასუხის ტალღის სიგრძეა 905 ნმ.

მიიღეთ ციტატა ჩამოტვირთვა

ტექნიკური პარამეტრი

ᲛᲐᲮᲐᲡᲘᲐᲗᲔᲑᲚᲔᲑᲘ

აპლიკაცია

პროდუქტის ტეგები

ფოტოელექტრული მახასიათებლები (＠Ta＝22±3℃)
მოდელი		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	მასივი
პაკეტის ფორმა		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	პლასტიკური შეფუთვა	პლასტიკური შეფუთვა	PCB
ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის დიამეტრი (მმ)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	მორგებული
სპექტრული რეაგირების დიაპაზონი (ნმ)		400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100
პიკური პასუხის ტალღის სიგრძე (ნმ)		905	905	905	905	905	905	905	905
რეაგირება λ=905ნმ Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
მუქი დენი M=100(nA)	Ტიპიური	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	ფოტომგრძნობელობის მიხედვით
მუქი დენი M=100(nA)	მაქსიმალური	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Ერთი მხარე
Რეაგირების დრო λ=905ნმ R1=50Ω(ნმ)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის მიხედვით
სამუშაო ძაბვის ტემპერატურის კოეფიციენტი T=-40℃~85℃(V/℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
მთლიანი ტევადობა M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის მიხედვით
ავარიული ძაბვა IR = 10 μA (V)	Მინიმალური	130	130	130	130	130	130	130	160
ავარიული ძაბვა IR = 10 μA (V)	მაქსიმალური	220	220	220	220	220	220	220	200