905 ნმ APD

მოდელი: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-P/ მასივი

Მოკლე აღწერა:

ეს არის Si ზვავის ფოტოდიოდი, რომელიც უზრუნველყოფს მაღალ მგრძნობელობას UV-დან NIR-მდე.პიკური პასუხის ტალღის სიგრძეა 905 ნმ.

მიიღეთ ციტატა ჩამოტვირთვა

ტექნიკური პარამეტრი

პროდუქტის ტეგები

მახასიათებლები

წინა მხარეს განათებული ბრტყელი ჩიპი
მაღალსიჩქარიანი რეაგირება
მაღალი APD მომატება
შეერთების დაბალი ტევადობა
Დაბალი ხმა
მასივის ზომა და ფოტომგრძნობიარე ზედაპირი შეიძლება მორგებული იყოს.

აპლიკაციები

ლაზერული დიაპაზონი
ლაზერული რადარი
ლაზერული გაფრთხილება

ფოტოელექტრული პარამეტრი (@Ta=22±3℃)

ელემენტი #	პაკეტის კატეგორია	ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის დიამეტრი (მმ)	სპექტრული რეაგირების დიაპაზონი (ნმ)	პიკური პასუხის ტალღის სიგრძე (ნმ)	პასუხისმგებლობა λ=905ნმ φe=1μW M=100 (A/W)	Რეაგირების დრო λ=905ნმ R_L=50Ω (ნწ)	ბნელი დენი M=100 (nA)		ტემპერატურის კოეფიციენტი Ta=-40℃-85℃ (V/℃)	მთლიანი ტევადობა M=100 f=1MHz (pF)	ავარია ვოლტაჟი I_R=10 μA (V)
ელემენტი #	პაკეტის კატეგორია	ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის დიამეტრი (მმ)	სპექტრული რეაგირების დიაპაზონი (ნმ)	პიკური პასუხის ტალღის სიგრძე (ნმ)	პასუხისმგებლობა λ=905ნმ φe=1μW M=100 (A/W)	Რეაგირების დრო λ=905ნმ R_L=50Ω (ნწ)	ტიპი.	მაქს.	ტემპერატურის კოეფიციენტი Ta=-40℃-85℃ (V/℃)	მთლიანი ტევადობა M=100 f=1MHz (pF)	მინ	მაქს
GD5210Y-2-2-TO46	TO-46	0.23	400-1100	905	55	0.6	0.2	1.0	0.9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	TO-46	0.50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-8-TO46	TO-46	0.80					0.8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3	LCC3	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3	LCC3	0.50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-2-P	პლასტიკური პაკეტი	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-P	პლასტიკური პაკეტი	0.50					0.4	1.0		1.2
მასივი	PCB	მორგებულია				ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის მიხედვით	ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის მიხედვით			ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის მიხედვით	160	200