ოთხკვადრანტი APD
მახასიათებლები
- წინა მხარეს განათებული ბრტყელი ჩიპი
- მაღალი სიხშირის პასუხი, მაღალი მომატება
- დიდი მიმღები ხედვის ველი
აპლიკაციები
- ლაზერული ხელმძღვანელობა
- ლაზერული პაემანი და დოკინგი
- ლაზერული პოზიციონირება
ფოტოელექტრული პარამეტრი (@Ta=22±3℃)
| ელემენტი # |
პაკეტის კატეგორია |
ფოტომგრძნობიარე ზედაპირის დიამეტრი (მმ) |
სპექტრული რეაგირების დიაპაზონი (ნმ) | პასუხისმგებლობა M=100 λ=1064 ნმ (კვ/ვ)
| ბნელი დენი M=100, l=1064nm (nA) |
მზარდი დრო (ნწ) | ტემპერატურის კოეფიციენტი Ta=-40℃-85℃ (V/℃)
| მთლიანი ტევადობა (PF) | ავარიული ძაბვა (V) | კვადრატი შეუსაბამობა (%) | კვადრატული ჯვარი (%) | ||
|
ტიპი.
| მაქს. | მინ. | მაქს |
მაქს. |
მაქს. | ||||||||
|
GD5241Y |
TO-8 | 4.0 კვადრატული გამყოფი ხაზი 0.1მმ |
400-1100 | 40 |
40 |
100 |
3.5 |
3.2 |
4.0 |
350 |
500 |
5 |
5 |
